Invenția se referă la o tehnologie de substanțe anorganice, în special metode de producere sulfură de zinc este folosit ca material pentru optoelectronică și inginerie semiconductor. Metoda conform invenției constă în producerea de ZnS că sulfura de cadmiu ca substrat rotativ monocristaline este reacționat cu clorură de zinc într-o topitură care conține, mol. %: 80 - ZnCl2. 20 - KCl și 10 - CsCI, în care procedeul se efectuează în condiții de egale rotative suprafața probei. Tabelul 1.
descrierea brevetului de invenție
Invenția se referă la o tehnologie de substanțe anorganice, în special metode de producere sulfură de zinc este folosit ca material pentru optoelectronică și inginerie semiconductor.
Cea mai apropiată în esență tehnică și realizabile efectul este de a obține ZnS de săruri topite. Dezavantajul acestei metode este de a obține numai pulberi ZnS, datorită fluxului mare viteza reacției este foarte dificil de a obține o singură formă cristalină ZnS.
Invenția urmărește simplificarea metodei de obținere a unor straturi singur cristal de sulfură de zinc.
Acest lucru se realizează prin faptul că procesul de creștere a straturilor de sulfură de zinc se realizează sare topită ZnCl2 + KCl + CsCI. Ca element de a lua o ZnCl2 zinc. și sulf monocristale de sulfură de cadmiu. reacția de schimb se efectuează în condiții de egală (în ceea ce privește difuzia) a discului rotativ.
Procedeul se realizează după cum urmează.
Insertul excizată din CdS singur cristal direcții cristalografice specifice este supus în prealabil la șlefuire și lustruire. Spălat cu apă deionizată și alcool. Puneți specimenul (placă) în cușcă de grafit deținător, astfel încât suprafața de lucru are un singur plan al plăcii, care coincide cu suprafața suportului purtător. In alumină (cuart) premix topit creuzet (compozițiile din exemplele acestora sunt prezentate în tabel) într-o atmosferă inertă. Se încălzește la temperaturi de 773-973 K și este introdus în clip-titular, simultan aduce în rotație la o viteză de 200-300 rot / min (viteza de rotație a suportului purtător cu proba depinde de mărimea CdS cu o cușcă porteșantionul, fluxul de fluid trebuie fie în curgere laminară), care permite să se obțină aceeași grosime a peliculei ZnS pe întreaga suprafață a probei. După o anumită expunere (exemple sunt prezentate în tabel), proba este îndepărtată din topitură de sare este răcită la temperatura camerei și se spală cu apă bidistilată pentru a îndepărta sărurile resturi aderente. alcool umidificat. sulfură de zinc, obținut în timpul desfășurării reacției este ZnCl2 + CdS _ → ZnS + CdCl2. Are aderență puternică la suport și CdS poate fi folosit ca ZnS heterojunction / CdS.
Pe baza experimentelor (. A se vedea tabelul) poate fi recomandată următoarea compoziție de săruri topite pentru producerea de straturi de sulfură de zinc (.. 80 mol ZnCl2 + 20 mol KCl) + 10 mol. CsCI. Acest lucru se datorează faptului că reacția de schimb de 1 și 2 se topesc curge suficient de repede, ceea ce împiedică obținerea straturilor monocristaline de ZnS (1 topitură obținută, de obicei straturi policristaline). Pentru topitură 4 și 7, rata de creștere este destul de mică, și din topitură 3, 5 și 6 au cele mai bune straturi de calitate ZnS sunt obținute prin utilizarea sării topește compoziția 5. Utilizarea amestecării atinge suprafața probei în mod echitabil (condițiile de descărcare și pentru alimentarea substanței la orice suprafață a punctului de rotație disc (probă) sunt aceleași și nu depind de distanța față de axa de rotație, numita suprafață accesibilă în mod egal în ceea ce privește difuzia).
PRETENȚII
Procedeu de obținere a sulfurii de zinc, clorură de zinc, care cuprinde reacția unei sulfura de cadmiu în topitură care conține clorura de potasiu, caracterizat prin aceea că sulfura de cadmiu este utilizat ca substrat rotativ singur cristal, iar procesul se desfășoară în condiții de suprafață egală a unui substrat rotativ într-o topitură conținând, mol.
Clorură de zinc 80
Clorură de potasiu 20
Clorura de cesiu 10i